Se acaba de presentar Diosic, proyecto de innovación que investiga de forma pionera el desarrollo de chips semiconductores sobre substratos de carburo de silicio, combinando dos tecnologías de densificación que utilizan, además de altas temperaturas, altas presiones isostáticas (HIP Hot Isostatic Pressing) y altas intensidades de corriente (SPS Spark Plasma Sintering). La iniciativa está impulsada generalmente por Fagor Electrónica (fabricación de chips, en el montaje y test de los diodos de potencia), Hiperbaric (desarrollo de la tecnología HIP) y Nanoker (desarrollo del sustrato policristalino apto para el crecimiento epitaxial).
“Este proyecto surge de la necesidad de desarrollar nuevos materiales con características especiales, que se puedan utilizar en electrónica de potencia. Los diodos de potencia de SiC tienen un gran uso en aplicaciones relacionadas con las energías renovables y en los vehículos eléctricos, como por ejemplo en los cargadores de batería y en otras aplicaciones ‘on-board’ (OBC) y en los inversores de las baterías de los coches”, explica Mikel Pérez Sebastian, director de I+D y Digitalización de Fagor Electrónica. Según subraya, el proyecto Diosic permitiría reducir costes, mejorar la eficiencia y facilitar un mayor uso de los diodos SiC.
Aportación de Fagor Electrónica
Fagor Electrónica es una de las mayores impulsoras del proyecto y su aportación de centra generalmente en el proceso de producción. “Fagor Electrónica aporta al proyecto una amplia experiencia en la fabricación de chips, en el montaje y test de los diodos de potencia y en el cumplimiento de los más altos estándares de calidad exigidos por el mercado de automoción”, aclara el director de I+D y Digitalización de la cooperativa.
